JAN1N5186/TR

Microchip Technology

JAN1N5186/TR

Analog & Leistungselektronik

DIODE GEN PURP 100V 3A B AXIAL

AktivB, AxialAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-Teilenummer1N5186
HerstellerMicrochip Technology
MontageartThrough Hole
VerpackungTape & Reel (TR)
TeilestatusAktiv
Reverse Recovery Time (trr)150 ns
TechnologieStandard

Elektrisch

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.5 V @ 9 A
Current - Average Rectified (Io)3A
Current - Reverse Leakage @ Vr2 µA @ 100 V
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Mechanisch

Package / CaseB, Axial
Hersteller-GehäuseB, Axial

Umwelt

GradeMilitary
Operating Temperature - Junction-65°C ~ 175°C
QualificationMIL-PRF-19500/424