JAN1N3646

Microchip Technology

JAN1N3646

Analog & Leistungselektronik

DIODE GP 1.75KV 250MA S AXIAL

AktivS, AxialAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-Teilenummer1N3646
HerstellerMicrochip Technology
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
TechnologieStandard

Elektrisch

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)1750 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If5 V @ 250 mA
Current - Average Rectified (Io)250mA
Current - Reverse Leakage @ Vr5 µA @ 1750 V
GeschwindigkeitStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / CaseS, Axial
Hersteller-GehäuseS, Axial

Umwelt

GradeMilitary
Operating Temperature - Junction-65°C ~ 175°C
QualificationMIL-PRF-19500/279