DN3765K4-G

Microchip Technology

DN3765K4-G

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 650V 300MA TO252-3

AktivTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs8Ohm @ 150mA, 0V
Basis-TeilenummerDN3765
FET FeatureDepletion Mode
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds825 pF @ 25 V
HerstellerMicrochip Technology
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V

Elektrisch

Drain-Source-Spannung650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)0V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C300mA (Tj)
Max. Verlustleistung2.5W (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Hersteller-GehäuseTO-252, (D-Pak)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)