DN3535N8-G

Microchip Technology

DN3535N8-G

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 350V 230MA TO243AA

AktivTO-243AAAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs10Ohm @ 150mA, 0V
FET FeatureDepletion Mode
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds360 pF @ 25 V
HerstellerMicrochip Technology
MontageartSurface Mount
VerpackungTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
TeilestatusAktiv
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V

Elektrisch

Drain-Source-Spannung350 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)0V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C230mA (Tj)
Max. Verlustleistung1.6W (Ta)

Mechanisch

Hersteller-GehäuseTO-243AA (SOT-89)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)