APTM20UM03FAG

Microchip Technology

APTM20UM03FAG

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 200V 580A SP6

AktivSP6Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs3.6mOhm @ 290A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs840 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds43300 pF @ 25 V
HerstellerMicrochip Technology
MontageartChassis Mount
Product StatusActive
SeriePOWER MOS 7®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 15mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C580A (Tc)
Max. Verlustleistung2270W (Tc)

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / CaseSP6
Hersteller-GehäuseSP6

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C~150°C(TJ)