APTM120DA30CT1G

Microchip Technology

APTM120DA30CT1G

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 1200V 31A SP1

AktivSP1Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs360mOhm @ 25A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs560 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds14560 pF @ 25 V
HerstellerMicrochip Technology
MontageartChassis Mount
Product StatusActive
SeriePOWER MOS 8™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 2.5mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung1200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C31A (Tc)
Max. Verlustleistung657W (Tc)

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / CaseSP1
Hersteller-GehäuseSP1

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C~150°C(TJ)