APTM100UM45DAG

Microchip Technology

APTM100UM45DAG

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 1000V 215A SP6

AktivSP6Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs52mOhm @ 107.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1602 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds42700 pF @ 25 V
HerstellerMicrochip Technology
MontageartChassis Mount
Product StatusActive
SeriePOWER MOS 7®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 30mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung1000 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C215A (Tc)
Max. Verlustleistung5000W (Tc)

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / CaseSP6
Hersteller-GehäuseSP6

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C~150°C(TJ)