APTM100H45SCTG

Microchip Technology

APTM100H45SCTG

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP4

AktivSP4Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs540mOhm @ 9A, 10V
Basis-TeilenummerAPTM100
Konfiguration4 N-Channel (Full Bridge)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs154nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4350pF @ 25V
HerstellerMicrochip Technology
MontageartChassis Mount
VerpackungBulk
TeilestatusAktiv
SeriePOWER MOS 7®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 2.5mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung1000V (1kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C18A
Power - Max357W

Mechanisch

Package / CaseSP4
Hersteller-GehäuseSP4

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)