APTM100H35FTG

Microchip Technology

APTM100H35FTG

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 4N-CH 1000V 22A SP4

AktivSP4Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs420mOhm @ 11A, 10V
Basis-TeilenummerAPTM100
Konfiguration4 N-Channel (Full Bridge)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs186nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds5200pF @ 25V
HerstellerMicrochip Technology
MontageartChassis Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 2.5mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung1000V (1kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C22A
Power - Max390W

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / CaseSP4
Hersteller-GehäuseSP4

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)