APTC60DAM18CTG

Microchip Technology

APTC60DAM18CTG

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 600V 143A SP4

AktivSP4Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs18mOhm @ 71.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1036 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds28000 pF @ 25 V
HerstellerMicrochip Technology
MontageartChassis Mount
Product StatusActive
SerieCoolMOS™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id3.9V @ 4mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C143A (Tc)
Max. Verlustleistung833W (Tc)

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / CaseSP4
Hersteller-GehäuseSP4

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C~150°C(TJ)