APT77N60BC6

Microchip Technology

APT77N60BC6

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 600V 77A TO247

AktivTO-247-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs41mOhm @ 44.4A, 10V
FET FeatureSuper Junction
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds13600 pF @ 25 V
HerstellerMicrochip Technology
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
SerieCoolMOS™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.6V @ 2.96mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C77A (Tc)
Max. Verlustleistung481W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-247-3
Hersteller-GehäuseTO-247 [B]

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)