APT6029BLLG

Microchip Technology

APT6029BLLG

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 600V 21A TO247

AktivTO-247-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs290mOhm @ 10.5A, 10V
Basis-TeilenummerAPT6029
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2615 pF @ 25 V
HerstellerMicrochip Technology
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
SeriePOWER MOS 7®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C21A (Tc)
Max. Verlustleistung300W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-247-3
Hersteller-GehäuseTO-247 [B]

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)