APT6013B2LLG

Microchip Technology

APT6013B2LLG

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 600V 43A T-MAX

AktivTO-247-3 VariantAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs130mOhm @ 21.5A, 10V
Basis-TeilenummerAPT6013
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds5630 pF @ 25 V
HerstellerMicrochip Technology
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
SeriePOWER MOS 7®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 2.5mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C43A (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-247-3 Variant
Hersteller-GehäuseT-MAX™ [B2]