APT6011B2VRG

Microchip Technology

APT6011B2VRG

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 600V 49A T-MAX

AktivTO-247-3 VariantAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs110mOhm @ 24.5A, 10V
Basis-TeilenummerAPT6011
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs450 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds8900 pF @ 25 V
HerstellerMicrochip Technology
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
SeriePOWER MOS V®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 2.5mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C49A (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-247-3 Variant
Hersteller-GehäuseT-MAX™ [B2]