APT51F50J

Microchip Technology

APT51F50J

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 500V 51A ISOTOP

AktivSOT-227-4, miniBLOCAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs75mOhm @ 37A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs290 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds11600 pF @ 25 V
HerstellerMicrochip Technology
MontageartChassis Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 2.5mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C51A (Tc)
Max. Verlustleistung480W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseSOT-227-4, miniBLOC
Hersteller-GehäuseISOTOP®

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)