APT47N60BC3G

Microchip Technology

APT47N60BC3G

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 600V 47A TO247

ObsoletTO-247-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs70mOhm @ 30A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds7015 pF @ 25 V
HerstellerMicrochip Technology
MontageartThrough Hole
VerpackungTube
TeilestatusObsolet
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.9V @ 2.7mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C47A (Tc)
Max. Verlustleistung417W (Tc)

Mechanisch

Package / CaseTO-247-3
Hersteller-GehäuseTO-247 [B]

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)