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APT33GF120B2RDQ2G

Microchip Technology

APT33GF120B2RDQ2G

Analog & Leistungselektronik

IGBT 1200V 64A 357W TMAX

AktivTO-247-3 VariantAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerAPT33GF120
Gate Charge170 nC
IGBT TypeNPT
EingangstypStandard
HerstellerMicrochip Technology
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
Switching Energy1.315mJ (on), 1.515mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C14ns/185ns
Test Condition800V, 25A, 4.3Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic3V @ 15V, 25A

Elektrisch

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)64 A
Current - Collector Pulsed (Icm)75 A
Power - Max357 W

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-247-3 Variant

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)

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