APT10M11JVRU3

Microchip Technology

APT10M11JVRU3

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

AktivSOT-227-4, miniBLOCAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs11mOhm @ 71A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds8600 pF @ 25 V
HerstellerMicrochip Technology
MontageartChassis Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 2.5mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C142A (Tc)
Max. Verlustleistung450W (Tc)

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / CaseSOT-227-4, miniBLOC
Hersteller-GehäuseSOT-227

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)