APT1001RSVRG

Microchip Technology

APT1001RSVRG

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 1000V 11A D3PAK

AktivTO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AAAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs1Ohm @ 500mA, 10V
Basis-TeilenummerAPT1001
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3660 pF @ 25 V
HerstellerMicrochip Technology
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SeriePOWER MOS V®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung1000 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C11A (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Hersteller-GehäuseD3 [S]