APL602B2G

Microchip Technology

APL602B2G

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 600V 49A T-MAX

AktivTO-247-3 VariantAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs125mOhm @ 24.5A, 12V
Basis-TeilenummerAPL602
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds9000 pF @ 25 V
HerstellerMicrochip Technology
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 2.5mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C49A (Tc)
Max. Verlustleistung730W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-247-3 Variant
Hersteller-GehäuseT-MAX™ [B2]

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)