2N7002-G

Microchip Technology

2N7002-G

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23

AktivTO-236-3, SC-59, SOT-23-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs7.5Ohm @ 500mA, 10V
Basis-Teilenummer2N7002
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds50 pF @ 25 V
HerstellerMicrochip Technology
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C115mA (Tj)
Max. Verlustleistung360mW (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Hersteller-GehäuseSOT-23 (TO-236AB)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)