Allgemein
| Basis-Teilenummer | 2N3250 |
|---|---|
| Hersteller | Microchip Technology |
| Montageart | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 5mA, 50mA |
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 200 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 10mA, 1V |
| Power - Max | 360 mW |
Mechanisch
| Gehäuse | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
| Hersteller-Gehäuse | TO-39 (TO-205AD) |
Umwelt
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 200°C (TJ) |
|---|