1N6630/TR

Microchip Technology

1N6630/TR

Analog & Leistungselektronik

DIODE GEN PURP 990V 1.4A

AktivA, AxialAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Capacitance @ Vr, F40pF @ 10V, 1MHz
HerstellerMicrochip Technology
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)50 ns
TechnologieStandard

Elektrisch

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)990 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.4 V @ 1.4 A
Current - Average Rectified (Io)1.4A
Current - Reverse Leakage @ Vr2 µA @ 990 V
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseA, Axial
Hersteller-GehäuseA, Axial

Umwelt

Operating Temperature - Junction-65°C ~ 150°C