1N6628US

Microchip Technology

1N6628US

Analog & Leistungselektronik

DIODE GEN PURP 660V 1.75A A-MELF

AktivSQ-MELF, AAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-Teilenummer1N6628
Capacitance @ Vr, F40pF @ 10V, 1MHz
HerstellerMicrochip Technology
MontageartSurface Mount
VerpackungBulk
TeilestatusAktiv
Reverse Recovery Time (trr)30 ns
TechnologieStandard

Elektrisch

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)660 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.35 V @ 2 A
Current - Average Rectified (Io)1.75A
Current - Reverse Leakage @ Vr2 µA @ 660 V
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Mechanisch

Package / CaseSQ-MELF, A
Hersteller-GehäuseA-MELF

Umwelt

Operating Temperature - Junction-65°C ~ 150°C