1N6623US/TR

Microchip Technology

1N6623US/TR

Analog & Leistungselektronik

DIODE GEN PURP 880V 1A A-MELF

AktivSQ-MELF, AAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Capacitance @ Vr, F10pF @ 10V, 1MHz
HerstellerMicrochip Technology
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)50 ns
TechnologieStandard

Elektrisch

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)880 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.55 V @ 1 A
Current - Average Rectified (Io)1A
Current - Reverse Leakage @ Vr500 nA @ 880 V
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseSQ-MELF, A
Hersteller-GehäuseA-MELF

Umwelt

Operating Temperature - Junction-65°C ~ 150°C