1N6622US/TR

Microchip Technology

1N6622US/TR

Analog & Leistungselektronik

DIODE GEN PURP 660V 1.2A A-MELF

AktivSQ-MELF, AAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Capacitance @ Vr, F10pF @ 10V, 1MHz
HerstellerMicrochip Technology
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)30 ns
TechnologieStandard

Elektrisch

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)660 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.4 V @ 1.2 A
Current - Average Rectified (Io)1.2A
Current - Reverse Leakage @ Vr500 nA @ 660 V
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseSQ-MELF, A
Hersteller-GehäuseA-MELF

Umwelt

Operating Temperature - Junction-65°C ~ 150°C