1N649-1

Microchip Technology

1N649-1

Analog & Leistungselektronik

DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35

AktivDO-204AH, DO-35, AxialAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-Teilenummer1N649
HerstellerMicrochip Technology
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
TechnologieStandard

Elektrisch

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1 V @ 400 mA
Current - Average Rectified (Io)400mA
Current - Reverse Leakage @ Vr50 nA @ 600 V
GeschwindigkeitStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / CaseDO-204AH, DO-35, Axial
Hersteller-GehäuseDO-35

Umwelt

Operating Temperature - Junction-65°C ~ 175°C