1N6079/TR

Microchip Technology

1N6079/TR

Analog & Leistungselektronik

DIODE GEN PURP 50V 2A

AktivA, AxialAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

HerstellerMicrochip Technology
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)30 ns
TechnologieStandard

Elektrisch

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.5 V @ 37.7 A
Current - Average Rectified (Io)2A
Current - Reverse Leakage @ Vr10 µA @ 50 V
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseA, Axial
Hersteller-GehäuseA, Axial

Umwelt

Operating Temperature - Junction-65°C ~ 155°C