1N6074/TR

Microchip Technology

1N6074/TR

Analog & Leistungselektronik

DIODE GEN PURP 100V 850MA

AktivA, AxialAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

HerstellerMicrochip Technology
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)30 ns
TechnologieStandard

Elektrisch

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If2.04 V @ 9.4 A
Current - Average Rectified (Io)850mA
Current - Reverse Leakage @ Vr1 µA @ 100 V
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseA, Axial
Hersteller-GehäuseA, Axial

Umwelt

Operating Temperature - Junction-65°C ~ 155°C