1N5813R

Microchip Technology

1N5813R

Analog & Leistungselektronik

DIODE GEN PURP 75V 20A DO203AA

AktivDO-203AA, DO-4, StudAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-Teilenummer1N5813
Capacitance @ Vr, F300pF @ 10V, 1MHz
HerstellerMicrochip Technology
MontageartStud Mount
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)35 ns
TechnologieStandard, Reverse Polarity

Elektrisch

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If950 mV @ 20 A
Current - Average Rectified (Io)20A
Current - Reverse Leakage @ Vr10 µA @ 75 V
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / CaseDO-203AA, DO-4, Stud
Hersteller-GehäuseDO-203AA (DO-4)

Umwelt

Operating Temperature - Junction-65°C ~ 175°C