1N5811

Microchip Technology

1N5811

Analog & Leistungselektronik

DIODE GEN PURP 150V 3A B AXIAL

AktivB, AxialAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Capacitance @ Vr, F60pF @ 10V, 1MHz
HerstellerMicrochip Technology
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)30 ns
TechnologieStandard

Elektrisch

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If875 mV @ 4 A
Current - Average Rectified (Io)3A
Current - Reverse Leakage @ Vr5 µA @ 150 V
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / CaseB, Axial
Hersteller-GehäuseB, Axial

Umwelt

Operating Temperature - Junction-65°C ~ 175°C