1N5802US/TR

Microchip Technology

1N5802US/TR

Analog & Leistungselektronik

DIODE GEN PURP 50V 1A D-5A

AktivSQ-MELF, AAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Capacitance @ Vr, F25pF @ 10V, 1MHz
HerstellerMicrochip Technology
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)25 ns
TechnologieStandard

Elektrisch

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If875 mV @ 1 A
Current - Average Rectified (Io)1A
Current - Reverse Leakage @ Vr1 µA @ 50 V
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseSQ-MELF, A
Hersteller-GehäuseD-5A

Umwelt

Operating Temperature - Junction-65°C ~ 175°C