1N5616US/TR

Microchip Technology

1N5616US/TR

Analog & Leistungselektronik

DIODE GEN PURP 400V 1A D-5A

AktivSQ-MELF, AAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

HerstellerMicrochip Technology
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)2 µs
TechnologieStandard

Elektrisch

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.3 V @ 3 A
Current - Average Rectified (Io)1A
Current - Reverse Leakage @ Vr500 nA @ 400 V
GeschwindigkeitStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseSQ-MELF, A
Hersteller-GehäuseD-5A

Umwelt

Operating Temperature - Junction-65°C ~ 200°C