1N3595US/TR

Microchip Technology

1N3595US/TR

Analog & Leistungselektronik

DIODE GEN PURP 4A B SQ-MELF

AktivSQ-MELF, BAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

HerstellerMicrochip Technology
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)3 µs
TechnologieStandard

Elektrisch

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1 V @ 200 mA
Current - Average Rectified (Io)4A
Current - Reverse Leakage @ Vr1 nA @ 125 V
GeschwindigkeitStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseSQ-MELF, B
Hersteller-GehäuseB, SQ-MELF

Umwelt

Operating Temperature - Junction-65°C ~ 150°C