SIL03N10-TP

Micro Commercial Co

SIL03N10-TP

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 100V 3A SOT23-6L

ObsoletSOT-23-6Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs120mOhm @ 3A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs19.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds810 pF @ 50 V
HerstellerMicro Commercial Co
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3A (Ta)
Max. Verlustleistung1.5W

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseSOT-23-6
Hersteller-GehäuseSOT-23-6L

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)