SICW1000N170A-BP

Micro Commercial Co

SICW1000N170A-BP

Analog & Leistungselektronik

N-CHANNEL MOSFET,TO-247AB

AktivTO-247-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.32Ohm @ 1.5A, 20V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15.5 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds124 pF @ 1000 V
HerstellerMicro Commercial Co
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
TechnologieSiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Vgs (Max)+25V, -5V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung1700 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)15V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3A
Max. Verlustleistung69W

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / CaseTO-247-3
Hersteller-GehäuseTO-247AB

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)