SI3099-TP

Micro Commercial Co

SI3099-TP

Analog & Leistungselektronik

N-CHANNEL MOSFET,SOT-23

AktivTO-236-3, SC-59, SOT-23-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs408mOhm @ 500nA, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds61 pF @ 15 V
HerstellerMicro Commercial Co
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.1A
Max. Verlustleistung830mW

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Hersteller-GehäuseSOT-23

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)