SI01P10-TP

Micro Commercial Co

SI01P10-TP

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 100V 1A SOT23

AktivTO-236-3, SC-59, SOT-23-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs800mOhm @ 1A, 10V
Basis-TeilenummerSI01P10
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds388 pF @ 40 V
HerstellerMicro Commercial Co
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1A (Tj)
Max. Verlustleistung770mW

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Hersteller-GehäuseSOT-23

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)