MSJP20N65A-BP

Micro Commercial Co

MSJP20N65A-BP

Analog & Leistungselektronik

N-CHANNEL MOSFET,TO-220AB(H)

AktivTO-220-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs190mOhm @ 10A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1860 pF @ 25 V
HerstellerMicro Commercial Co
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C20A (Tc)
Max. Verlustleistung151W

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-220-3
Hersteller-GehäuseTO-220AB (H)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)