MCP04N80-BP

Micro Commercial Co

MCP04N80-BP

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH

ObsoletTO-220-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.2Ohm @ 2A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds598 pF @ 50 V
HerstellerMicro Commercial Co
MontageartThrough Hole
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4A
Max. Verlustleistung63W

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / CaseTO-220-3
Hersteller-GehäuseTO-220AB

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)