MCMN2012A-TP

Micro Commercial Co

MCMN2012A-TP

Analog & Leistungselektronik

N-CHANNEL MOSFET

Aktiv6-WDFN Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs15mOhm @ 5A, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1800 pF @ 4 V
HerstellerMicro Commercial Co
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±10V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C12A

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case6-WDFN Exposed Pad
Hersteller-GehäuseDFN2020-6JA

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)