MCG65N03-TP

Micro Commercial Co

MCG65N03-TP

Analog & Leistungselektronik

N-CHANNEL MOSFET, DFN3333

Aktiv8-VDFN Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs3.2mOhm @ 20A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs92.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4498 pF @ 15 V
HerstellerMicro Commercial Co
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C65A
Max. Verlustleistung75W (Tj)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-VDFN Exposed Pad
Hersteller-GehäuseDFN3333

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)