MCG55P02A-TP

Micro Commercial Co

MCG55P02A-TP

Analog & Leistungselektronik

P-CHANNEL MOSFET, DFN3333

Aktiv8-VDFN Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs8.3mOhm @ 15A, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs149 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds6358 pF @ 10 V
HerstellerMicro Commercial Co
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±10V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C55A
Max. Verlustleistung3.2W (Ta), 38W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-VDFN Exposed Pad
Hersteller-GehäuseDFN3333

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)