MCG35P04-TP

Micro Commercial Co

MCG35P04-TP

Analog & Leistungselektronik

P-CHANNEL MOSFET,DFN3333

Aktiv8-VDFN Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs25mOhm @ 15A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs26.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1257 pF @ 20 V
HerstellerMicro Commercial Co
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C35A
Max. Verlustleistung38W

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-VDFN Exposed Pad
Hersteller-GehäuseDFN3333

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)