MCG30P03-TP

Micro Commercial Co

MCG30P03-TP

Analog & Leistungselektronik

P-CHANNEL MOSFET,DFN3333

Aktiv8-VDFN Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs13mOhm @ 20A, 20V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs29.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2050 pF @ 15 V
HerstellerMicro Commercial Co
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±25V
Vgs(th) (Max) @ Id2.8V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C30A
Max. Verlustleistung32W

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-VDFN Exposed Pad
Hersteller-GehäuseDFN3333

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)