MCG30N10Y-TP

Micro Commercial Co

MCG30N10Y-TP

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH DFN3333

Obsolet8-VDFN Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs16.5mOhm @ 20A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1211 pF @ 50 V
HerstellerMicro Commercial Co
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C30A
Max. Verlustleistung20.8W

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-VDFN Exposed Pad
Hersteller-GehäuseDFN3333

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)