MCG04N10A-TP

Micro Commercial Co

MCG04N10A-TP

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 100V 4A DFN3030-8

Obsolet8-PowerWDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs105mOhm @ 4.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds612 pF @ 50 V
HerstellerMicro Commercial Co
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.6V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4A (Tj)
Max. Verlustleistung25W

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerWDFN
Hersteller-GehäuseDFN3030-8

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)