GBJ5010

MDD

GBJ5010

Analog & Leistungselektronik

RECTIFIER BRIDGE 50A 1000V GBJ

Aktiv4-SIP, GBJAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Diode TypeSingle Phase
HerstellerMDD
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
SerieGBJ
TechnologieStandard

Elektrisch

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.1 V @ 25 A
Voltage - Peak Reverse (Max)1 kV
Current - Average Rectified (Io)50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr10 µA @ 1000 V

Mechanisch

GehäuseBox
Package / Case4-SIP, GBJ
Hersteller-GehäuseGBJ

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)