LSIC1MO120G0120

Littelfuse Inc

LSIC1MO120G0120

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET SIC 1200V 18A TO247-4L

AktivTO-247-4Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs150mOhm @ 14A, 20V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs63 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1130 pF @ 800 V
HerstellerLittelfuse Inc.
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
TechnologieSiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max)+22V, -6V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 7mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung1200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C27A (Tc)
Max. Verlustleistung156W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-247-4
Hersteller-GehäuseTO-247-4L

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)