TH58NYG2S3HBAI6

Kioxia America, Inc

TH58NYG2S3HBAI6

Speicher & Storage

IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63BGA

Aktiv63-BGASpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypNon-Volatile
TechnologieFLASH - NAND (SLC)
Basis-TeilenummerTH58NYG2
HerstellerKioxia America, Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
Schreibzykluszeit25ns

Elektrisch

Speichergröße4Gbit
SpeicherformatFLASH
Memory InterfaceParallel
Versorgungsspannung1.7V ~ 1.95V
Memory Organization512M x 8

Mechanisch

GehäuseTray
Package / Case63-BGA
Hersteller-Gehäuse63-BGA (9x11)

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C~85°C(TA)